搜索
|
Copyright ? 江西省納米技術(shù)研究院 版權(quán)所有
贛ICP備17004909號(hào)-1 Email：chenke2016@sinanonc.cn
聯(lián)系地址：江西省南昌市小藍(lán)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)羅珠路278號(hào)（金湖公園對(duì)面） 網(wǎng)站建設(shè)：中企動(dòng)力 南昌
INNOVATION
創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)
政策倡導(dǎo)、共同協(xié)調(diào)、資源整合、行業(yè)自律
6英寸Si襯底高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)異質(zhì)外延
產(chǎn)品名稱
6英寸Si襯底高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)異質(zhì)外延
概要信息
編號(hào)
重量
0.00
零售價(jià)
0.00
元
市場(chǎng)價(jià)
￥0.00
元
產(chǎn)品描述
傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件因材料限制逐漸不能滿足未來(lái)功率電子器件的發(fā)展趨勢(shì)。作為重要的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN，因其禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高，異質(zhì)結(jié)二維電子氣濃度高、電子飽和漂移速度高，且化學(xué)惰性和高溫穩(wěn)定性好，從而能夠獲得很高的擊穿電壓和功率密度以及極高的工作頻率，較小的開(kāi)關(guān)損耗。
基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型HEMT器件的制備是實(shí)現(xiàn)GaN基功率電子器件實(shí)際應(yīng)用的必經(jīng)之路，也是技術(shù)難點(diǎn)。由于各種因素的限制，在大尺寸晶圓上實(shí)現(xiàn)均勻、穩(wěn)定、重復(fù)、低損傷的干法刻蝕工藝非常困難。在此背景下，本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)提出了一種具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的制備p-GaN柵HEMT新技術(shù)，它避免了刻蝕損傷，采用平面工藝鈍化的原位高阻GaN帽層可提高器件耐壓、抑制電流崩塌，且工藝成本低廉，具有極大的市場(chǎng)應(yīng)用潛力。
未找到相應(yīng)參數(shù)組，請(qǐng)于后臺(tái)屬性模板中添加
暫未實(shí)現(xiàn),敬請(qǐng)期待
暫未實(shí)現(xiàn),敬請(qǐng)期待
上一篇
下一篇